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分子束外延生长Si/GaP(III)异质结的界面特性

物理学报, 1989, 38(8): 1265-1270.
DOI: 10.7498/aps.38.1265
CSTR: 32037.14.aps.38.1265

INTERFACIAL PROPERTIES OF Si/GaP(111) HETEROJUNCT10N GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY

Acta Phys. Sin., 1989, 38(8): 1265-1270.
DOI: 10.7498/aps.38.1265
CSTR: 32037.14.aps.38.1265
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