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反应溅射制备a-SiGe:H薄膜中亚稳态热缺陷的研究

物理学报, 1990, 39(10): 1661-1664.
DOI: 10.7498/aps.39.1661
CSTR: 32037.14.aps.39.1661

A STUDY ON THE METASTABLE THERMAL DEFECTS IN REACTIVELY SPUTTERED a-SiGe:H FILMS

Acta Phys. Sin., 1990, 39(10): 1661-1664.
DOI: 10.7498/aps.39.1661
CSTR: 32037.14.aps.39.1661
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  • 摘要

    本文通过电导率σ(T)和异质结电容-电压关系(C-V)的测量,研究了反应溅射制备的a-SiGe:H薄膜中亚稳态热缺陷。

     

    Abstract

    Thermally induced metastable defects in reactive sputtered a-SiGe:H films are studied by conductivity σ(T) and heterojunction capacitance-voltage (C-V) measure ments.

     

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