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生长在GexSi1-x合金衬底(001)面上的应变GaAs层的电子能带结构

物理学报, 1995, 44(7): 1141-1147.
DOI: 10.7498/aps.44.1141
CSTR: 32037.14.aps.44.1141

Acta Phys. Sin., 1995, 44(7): 1141-1147.
DOI: 10.7498/aps.44.1141
CSTR: 32037.14.aps.44.1141
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  • 摘要

    采用紧束缚方法计算了GaAs/Ge_xSi_(1-x)(001)的电子能带结构.按GaAs的畸变势常数实验值决定紧束缚参数随键长变化的标度定律指数.计算时同时考虑由应变引起的键长和键角变化对电子能带结构的影响.计算结果表明:当衬底合金组分x<0.3时,应变GaAs层将由直接能隙结构转变成间接能隙结构.除L点导带能谷外,其它各导带底能谷的电子电导率有效质量均基本保持不变.为了使应变GaAs层仍保持较好的电学特性,衬底合金组分x最好大于或等于0.5.

     

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