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电致发光中SiO2加速层中电子的输运特性

物理学报, 1995, 44(7): 1164-1171.
DOI: 10.7498/aps.44.1164
CSTR: 32037.14.aps.44.1164

Acta Phys. Sin., 1995, 44(7): 1164-1171.
DOI: 10.7498/aps.44.1164
CSTR: 32037.14.aps.44.1164
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  • 摘要

    研究作为电致发光的加速层的SiO_2中电子的输运行为.给出SiO_2层中陷阶辅助电荷输运的理论模型,并用实验对这一模型进行了验证.认为电致发光条件下SiO_1层中的电子在低场下是以陷阱跳跃的形式输运的,而在高场下陷阱中的电子离化进入导带.

     

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