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CaAs(100)的(NH4)2Sx和P2S5/(NH4)2Sx表面钝化

物理学报, 1995, 44(8): 1328-1334.
DOI: 10.7498/aps.44.1328
CSTR: 32037.14.aps.44.1328

Acta Phys. Sin., 1995, 44(8): 1328-1334.
DOI: 10.7498/aps.44.1328
CSTR: 32037.14.aps.44.1328
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  • 摘要

    利用光致发光谱、X射线光电子谱和俄歇电子谱等技术研究了(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_5化学钝化GaAs(100)表面.结果表明,(NH_4)_2S_x中S钝化可以完全去除GaAs表面的氧化物.P_2S_5/(NH_4)_2S_x中P_2S_5对降低G_2A_5表面态密度,提高光致发光强度是有效的.钝化表面P氧化物存在对防止GaAs表面初期氧化起重要作用.

     

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