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形成半导体量子线结构的质子注入方法研究

物理学报, 1995, 44(9): 1461-1466.
DOI: 10.7498/aps.44.1461
CSTR: 32037.14.aps.44.1461

Acta Phys. Sin., 1995, 44(9): 1461-1466.
DOI: 10.7498/aps.44.1461
CSTR: 32037.14.aps.44.1461
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  • 摘要

    用20keV的质子(H~+)注入到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱,经快速退火,促使势垒上的Al向量子阱内扩散,尝试制备了线宽从0.5μm到0.1μm的量子线结构.由低温(14K)下阴极射线发光谱测量,观察到量子线中发光谱峰的蓝移,并通过与理论计算比较,讨论注入区内外Al的内扩散及掩膜区边缘横向离散的影响.

     

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