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量子阱吸收谱中的Fano效应

物理学报, 1995, 44(10): 1615-1621.
DOI: 10.7498/aps.44.1615
CSTR: 32037.14.aps.44.1615

Acta Phys. Sin., 1995, 44(10): 1615-1621.
DOI: 10.7498/aps.44.1615
CSTR: 32037.14.aps.44.1615
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  • 摘要

    提出在一定的量子阱结构及掺杂浓度下,由于LO声子激发态与电子准连续扩展态的相互耦合,可导致子带跃迁吸收谱的不对称性(亦即Fano线形).推导出此Fano线形的不对称参量的解析表达式,并以GaAg/Al_3Ga_(1-x)As为例,给出几种掺杂浓度和阱结构下的Fano.线形.

     

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