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发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析

物理学报, 1995, 44(1): 57-63.
DOI: 10.7498/aps.44.57
CSTR: 32037.14.aps.44.57

Acta Phys. Sin., 1995, 44(1): 57-63.
DOI: 10.7498/aps.44.57
CSTR: 32037.14.aps.44.57
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  • 摘要

    用X射线光电子能谱测量了经电解腐蚀后硅片表面的发光物质.发现发光膜中与发光有关的物质为硅氧化合物,其成分与二氧化硅接近,但O/Si小于2,并含有约百分之一数量级的氟,由氩离子刻蚀条件估算发光膜的厚度为微米数量级.随氩离子束的轰击,发光膜的发光强度下降,波长红移.

     

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