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一种模拟多孔硅结构的新方法

物理学报, 1995, 44(4): 590-598.
DOI: 10.7498/aps.44.590
CSTR: 32037.14.aps.44.590

Acta Phys. Sin., 1995, 44(4): 590-598.
DOI: 10.7498/aps.44.590
CSTR: 32037.14.aps.44.590
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  • 摘要

    以界面电化学反应动力学和离子输运动力学为基础,构造了一种多孔硅形成与结构的动态计算机模拟模型,模型中采用了电势的指数形式来表示化学反应概率。文中给出了与多孔硅的横断面透射电子显微镜(TEM)图谱和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)照片十分接近的形貌图示。

     

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