用卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光测试技术研究了室温下350keVYb~+以1×10~(15)Yb·cm~(-2)的剂量注入单晶硅后,在不同快速热退火温度下表面非晶层的固相外延结晶,结晶过程中Yb的迁移和其光致发光发射。在800,900和1000℃快速热退火温度下,表面非晶层的固相外延结晶都在掺杂区域发生中断,同时观察到Yb在晶体/非晶界面和表面的双偏析新现象,并且Yb的光致发光强度随退火温度的增加而增加。但在1200℃退火温度下,表面非晶层则完全结晶,伴随着结晶过程Yb几乎全部堆积到了表面附近,并导致了