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Si1-xCex/Si量子阱发光材料制备及特性研究

物理学报, 1995, 44(6): 995-1002.
DOI: 10.7498/aps.44.995
CSTR: 32037.14.aps.44.995

Acta Phys. Sin., 1995, 44(6): 995-1002.
DOI: 10.7498/aps.44.995
CSTR: 32037.14.aps.44.995
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  • 摘要

    在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。

     

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