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液相外延碲镉汞薄膜表面氧化特性的光电子能谱研究

物理学报, 2000, 49(1): 132-136.
DOI: 10.7498/aps.49.132
CSTR: 32037.14.aps.49.132

Study on the Oxidative Characterization of Lpe HgCdTe Film Surface by XPS　

Acta Phys. Sin., 2000, 49(1): 132-136.
DOI: 10.7498/aps.49.132
CSTR: 32037.14.aps.49.132
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  • 摘要

    利用X射线光电子谱对液相外延HgCdTe薄膜表面氧化特性进行了 研究，对经不同工艺过程处理的HgCdTe表面进行了测量、分析，结果表明碲镉汞表面经溴 无水乙醇溶液腐蚀后，再用乳酸乙二醇溶液对表面进行处理，可获得氧化物极少甚至无氧 化的HgCdTe表面.说明HgCdTe表面钝化前的预处理直接影响钝化层/HgCdTe的界面特性. 

     

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