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研究了金属-氧化物-半导体(MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应.采用加固的CC4007进 行辐照实验，在不同温度、不同偏压，以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比 较，发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢.高温下辐照的器件，界面态 建立的时间缩短.根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨.
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关键词:
- 金属-氧化物-半导体场效应 /
- 辐射效应 /
- 阈值电压漂移
Effects of irradiation temperature are explored for metal-oxide-semiconductor de vice under γ-rays.Hardened CC4007 chips were irradiated under different tempera tures,gate bias and annealing conditions.Threshold voltage shift was divided int o Vot and Vit using mid-gap voltage method.Finally,the mec hanism of threshold shift was discussed.
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中国物理学会期刊
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