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Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究

物理学报, 2000, 49(1): 142-145.
DOI: 10.7498/aps.49.142
CSTR: 32037.14.aps.49.142

Interface Formation Between Co With S－Passivated GaAs(100)　　 　　　　

Acta Phys. Sin., 2000, 49(1): 142-145.
DOI: 10.7498/aps.49.142
CSTR: 32037.14.aps.49.142
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  • 摘要

    利用同步辐射光电发射谱研究了Co与CH\-3CSNH\-2处理的S钝化GaAs(100)的界面形成.发现 其界面反应较弱，Co覆盖层达到0.8nm时，形成稳定的界面.GaAs表面上和S原子形成桥 键的Ga原子与Co发生交换反应并扩散到覆盖层中，形成Co—S键.Co覆盖层表面无偏析As的出现，与Co/GaAs(100)界面不同，这表明GaAs表面的S钝化可有效地阻止As原子向覆盖层的扩散.

     

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