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K3C60晶体中的电子屏蔽效应

物理学报, 2000, 49(3): 409-414.
DOI: 10.7498/aps.49.409
CSTR: 32037.14.aps.49.409

Acta Phys. Sin., 2000, 49(3): 409-414.
DOI: 10.7498/aps.49.409
CSTR: 32037.14.aps.49.409
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  • 摘要

    用屏蔽的静电库仑相互作用势,引入各离子的屏蔽参数,并考虑离子间的短程相互作用,计算了K3C60晶体中各离子和原胞的结合能随屏蔽参数的变化.分析计算表明K3C60晶体中电子的屏蔽主要是指对钾离子势能的屏蔽,特别是对四面体空隙中的钾离子K+T,虽然屏蔽参数很小,但对晶体结构的稳定极为重要

     

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