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GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析

物理学报, 2000, 49(4): 797-801.
DOI: 10.7498/aps.49.797
CSTR: 32037.14.aps.49.797

Acta Phys. Sin., 2000, 49(4): 797-801.
DOI: 10.7498/aps.49.797
CSTR: 32037.14.aps.49.797
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  • 摘要

    通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱(PL)与计算结果进行比较.说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系.欲使量子阱红外探测器的响应峰值在8μm附近,则需量子阱结构中阱宽为47nm,垒中Al含量为029.理论计算与测试结果符合得较好.

     

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