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SOI MOSFET转移特性中的深度饱和现象研究

物理学报, 2001, 50(1): 120-125.
DOI: 10.7498/aps.50.120
CSTR: 32037.14.aps.50.120

Acta Phys. Sin., 2001, 50(1): 120-125.
DOI: 10.7498/aps.50.120
CSTR: 32037.14.aps.50.120
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