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4H-SiC MOSFET的温度特性研究

物理学报, 2002, 51(5): 1113-1117.
DOI: 10.7498/aps.51.1113
CSTR: 32037.14.aps.51.1113

Acta Phys. Sin., 2002, 51(5): 1113-1117.
DOI: 10.7498/aps.51.1113
CSTR: 32037.14.aps.51.1113
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  • 摘要

    对4HSiCMOSFET的器件结构和温度特性进行了研究,总结了器件的结构参数对特性的影响,比较了不同温度下的输出特性以及饱和漏电流、阈值电压、跨导、导通电阻与温度的变化关系,模拟结果表明4HSiCMOSFET具有优异的温度特性,在800K下可以正常工作

     

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