PbWO4晶体空位型缺陷电子结构的研究

姚明珍; 梁玲; 顾牡; 段勇; 马晓辉

doi:10.7498/aps.51.125

PbWO4晶体空位型缺陷电子结构的研究

摘要
采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4晶体中与氧空位和铅空位相关缺陷的态密度分布,并运用过渡态方法计算了其激发能.结果表明:PbWO4晶体中WO3+VO缺陷的O2p→W5d跃迁可引起350nm和420nm附近的吸收,并且发现VPb的存在可以使WO42基团的禁带宽度明显变小

关键词:
PbWO4晶体 /

密度泛函 /

氧空位和铅空位 /

态密度分布
Abstract
ＴｈｉｓｐａｐｅｒｐｒｅｓｅｎｔｓａｓｔｕｄｙｏｎｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｏｆｄｅｆｅｃｔｓａｓｓｏｃｉａｔｅｄｗｉｔｈｏｘｙｇｅｎｖａｃａｎｃｙＶＯａｎｄｌｅａｄｖａｃａｎｃｙＶＰｂｉｎｌｅａｄｔｕｎｇｓｔａｔｅｃｒｙｓｔａｌｓ (ＰｂＷＯ4) ,ｂｙｔｈｅｒｅｌａｔｉｖｉｓｔｉｃｓｅｌｆｃｏｎｓｉｓｔｅｎｔｄｉｓｃｒｅｔｅｖａｒｉａｔｉｏｎａｌｅｍｂｅｄｄｅｄｃｌｕｓｔｅｒｍｅｔｈｏｄ .Ｆｕｒｔｈｅｒｍｏｒｅ,ｔｈｅｅｘｃｉｔａｔｉｏｎｅｎｅｒｇｙｉｓａｌｓｏｃａｌｃｕｌａｔｅｄ.ＷｅｆｏｕｎｄｔｈａｔＷＯ3 +ＶＯｃｏｕｌｄｂｅｔｈｅａｂｓｏｒｐｔｉｏｎｃｅｎｔｅｒａｔ3 50ｎｍａｎｄ 42 0ｎｍ ,ａｎｄｔｈｅｅｘｉｓｔｅｎｃｅｏｆＶＰｂｃａｎｄｉｍｉｎｉｓｈｔｈｅｂａｎｄｇａｐｏｆＷＯ42 -.

Keywords:
/

/

/
作者及机构信息
姚明珍,

梁玲,

顾牡,

段勇,

马晓辉
Authors and contacts
参考文献

施引文献

搜索

PbWO4晶体空位型缺陷电子结构的研究

摘要

Abstract

作者及机构信息

Authors and contacts

参考文献

施引文献

目录