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InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究

物理学报, 2002, 51(6): 1355-1359.
DOI: 10.7498/aps.51.1355
CSTR: 32037.14.aps.51.1355

Acta Phys. Sin., 2002, 51(6): 1355-1359.
DOI: 10.7498/aps.51.1355
CSTR: 32037.14.aps.51.1355
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  • 摘要

    分析研究了GaAsInAs自组装量子点的电输运性质,通过对实验数据的分析,讨论了Schottky势垒对InAs量子点器件的影响和IV曲线中迟滞回路以及电导曲线中台阶结构产生的原因.迟滞回路和台阶的出现与电场中量子点的充放电过程相关:迟滞回路反映了量子点充电后对载流子的库仑作用,而电导台阶则反映了量子点因共振隧穿的放电现象

     

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