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Bi对自旋阀钉扎场的影响及机理

物理学报, 2002, 51(6): 1366-1370.
DOI: 10.7498/aps.51.1366
CSTR: 32037.14.aps.51.1366

Acta Phys. Sin., 2002, 51(6): 1366-1370.
DOI: 10.7498/aps.51.1366
CSTR: 32037.14.aps.51.1366
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  • 摘要

    实验发现将Bi插入自旋阀多层膜TaNiFeCuBi(x)NiFeFeMn中可以显著地提高自旋阀的钉扎场Hex.采用XPS对Cu,Bi元素的分布情况进行了研究,发现Bi的插入明显抑制了Cu原子在自旋阀的制备过程中在NiFeFeMn界面的偏聚.进一步研究表明:自旋阀钉扎层NiFeFeMn界面中,Cu原子的存在是导致自旋阀Hex小于TaNiFeFeMn多层膜Hex的主要原因.

     

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