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用磁控溅射和真空硒化退火方法制备高质量的铜铟硒多晶薄膜

物理学报, 2002, 51(6): 1377-1382.
DOI: 10.7498/aps.51.1377
CSTR: 32037.14.aps.51.1377

Acta Phys. Sin., 2002, 51(6): 1377-1382.
DOI: 10.7498/aps.51.1377
CSTR: 32037.14.aps.51.1377
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  • 摘要

    用双靶磁控溅射的方法在玻璃衬底上制备了Cu11In9合金薄膜,然后将Cu11In9合金薄膜封闭在石墨盒中进行真空硒化退火得到CuInSe2薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和X射线粉末衍射(XRD)对CuInSe2薄膜进行了表征,结果表明CuInSe2薄膜具有单一的晶相,均匀、致密的结构,以及粒径超过了3μm的晶粒.

     

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