4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析

杨林安; 张义门; 龚仁喜; 张玉明

doi:10.7498/aps.51.148

摘要
采用载流子速度饱和理论,建立了包含“自热效应”影响的适用于4HSiCMESFET的大信号输出IV特性解析模型,在模型中引入了温度变化的因素,提出了非恒定衬底环境温度T0的热传导模型,模拟结果与实验值一致,证明基于这种模型的理论分析符合器件测试及应用的实际情况

关键词:
4H-SiC /

射频 /

MESFET /

直流I-V特性 /

自热效应
Abstract
Ａｌａｒｇｅｓｉｇｎａｌａｎａｌｙｔｉｃａｌｍｏｄｅｌｗｉｔｈｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃｏｎｓｉｄｅｒｅｄｆｏｒ4ＨＳｉＣｒａｄｉｏｆｒｅｑｕｅｎｃｙｐｏｗｅｒＭＥＳＦＥＴＩＶｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｉｓｐｒｏｐｏｓｅｄｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｔｈｅｏｒｙｏｆｓａｔｕｒａｔｅｄｃａｒｒｉｅｒｖｅｌｏｃｉｔｙ,ｂｙｍｅａｎｓｏｆｗｈｉｃｈｔｈｅｓｅｌｆｈｅａｔｉｎｇｅｆｆｅｃｔｉｓｔａｋｅｎｉｎｔｏａｃｃｏｕｎｔｓｏａｓｔｏａｎａｌｙｚｅｔｈｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆＳｉＣｐｏｗｅｒＭＥＳＦＥＴ .ＴｈｅｈｅａｔｔｒａｎｓｐｏｒｔｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｃｈａｎｎｅｌａｎｄｔｈｅｓｕｂｓｔｒａｔｅｉｓｍｏｄｅｌｅｄｗｉｔｈｎｏｎｃｏｎｓｔａｎｔｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＴ0 ａｔｔｈｅｂｏｔｔｏｍｏｆ4ＨＳｉＣｓｕｂｓｔｒａｔｅｉｎｏｒｄｅｒｔｏｆｉｔｔｈｅｒｅａｌａｃｔｉｏｎｓｏｆｄｅｖｉｃｅｓ.Ａｇｏｏｄａｇｒｅｅｍｅｎｔｂｅｔｗｅｅｎｓｉｍｕｌａｔｉｏｎａｎｄｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｉｓｏｂｔａｉｎｅｄ.

Keywords:
/

/

/

/
作者及机构信息
杨林安,

张义门,

龚仁喜,

张玉明
Authors and contacts
参考文献

施引文献

搜索

4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析

摘要

Abstract

作者及机构信息

Authors and contacts

参考文献

施引文献

目录