薄栅氧化层中陷阱电荷密度的测量方法

刘红侠; 郑雪峰; 郝跃

doi:10.7498/aps.51.163

摘要
提出了一种测量陷阱电荷密度的实验方法,该方法根据电荷陷落的动态平衡方程,利用恒流应力前后MOS电容高频CV曲线结合恒流应力下栅电压的变化曲线求解陷阱电荷密度及位置等物理量.给出了陷阱电荷密度的解析表达式和相关参数的提取方法和结果.实验表明这种方法方便而且具有较高的精度

关键词:
薄栅氧化膜 /

经时击穿 /

恒流应力 /

陷阱电荷密度
Abstract
Ｔｈｉｓｐａｐｅｒｐｒｅｓｅｎｔｓａｎｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｍｅｔｈｏｄｆｏｒｍｅａｓｕｒｉｎｇｔｈｅｄｅｎｓｉｔｙｏｆｔｒａｐｐｉｎｇｃｈａｒｇｅｓ.Ｔｈｉｓｍｅｔｈｏｄｉｓｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｄｙｎａｍｉｃｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍｅｑｕａｔｉｏｎｆｏｒｔｈｅｐｒｏｃｅｓｓｏｆｔｒａｐｐｅｄｃｈａｒｇｅｓ.ＷｅｃａｎｏｂｔａｉｎｔｈｅｄｅｎｓｉｔｙａｎｄｔｈｅｌｏｃａｔｉｏｎｏｆｔｒａｐｐｉｎｇｃｈａｒｇｅｓｂｙｍｅａｓｕｒｉｎｇｔｈｅｈｉｇｈｆｒｅｑｕｅｎｃｙＣＶｃｕｒｖｅｏｆＭＯＳｃａｐａｃｉｔａｎｃｅｂｅｆｏｒｅａｎｄａｆｔｅｒｓｔｒｅｓｓ,ａｎｄｔｈｅｃｈａｎｇｅｏｆｇａｔｅｖｏｌｔａｇｅｕｎｄｅｒｃｏｎｓｔａｎｔｃｕｒｒｅｎｔｓｔｒｅｓｓ.Ｔｈｅａｎａｌｙｔｉｃａｌｅｘｐｒｅｓｓｉｏｎｏｆｔｈｅｄｅｎｓｉｔｙｏｆｔｒａｐｐｉｎｇｃｈａｒｇｅｓｉｓｐｒｏｐｏｓｅｄ .Ｔｈｅｍｅｔｈｏｄａｎｄｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｏｆｐａｒａｍｅｔｅｒｓｅｘｔｒａｃｔｉｏｎａｒｅａｌｓｏｐｒｅｓｅｎｔｅｄ .Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｉｓｍｅｔｈｏｄｉｓｃｏｎｖｅｎｉｅｎｔａｎｄｐｒｅｃｉｓｅ .

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