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用离子束增强沉积从V2O5粉末制备高热电阻温度系数VO_2薄膜

物理学报, 2002, 51(8): 1788-1792.
DOI: 10.7498/aps.51.1788
CSTR: 32037.14.aps.51.1788

Acta Phys. Sin., 2002, 51(8): 1788-1792.
DOI: 10.7498/aps.51.1788
CSTR: 32037.14.aps.51.1788
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  • 摘要

    采用了一种用离子束增强沉积从V2O5粉末直接制备VO2薄膜的新方法,将纯度为997%的V2O5粉末压成溅射靶,在用Ar离子束溅射的同时,用氩氢混合束对沉积膜作高剂量离子注入,使沉积膜中V2O5的V—O键断裂,进而被注入的氢还原,退火后获得热电阻温度系数(TCR)高达4%的VO2薄膜.高剂量的氩氢混合束注入对薄膜引入应力,使薄膜的转换温度降低、电阻温度曲线斜率变大,是薄膜TCR增大的原因

     

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