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蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的研究

物理学报, 2002, 51(8): 1793-1797.
DOI: 10.7498/aps.51.1793
CSTR: 32037.14.aps.51.1793

Acta Phys. Sin., 2002, 51(8): 1793-1797.
DOI: 10.7498/aps.51.1793
CSTR: 32037.14.aps.51.1793
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  • 摘要

    报道了在蓝宝石(αAl2O3)衬底上采用atmosphericpressurechemicalvapor(APCVD)技术异质外延碳化硅薄膜材料的研究.通过引入ⅢⅤ族氮化物为中间的缓冲层,在C(0001)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜,经过四晶衍射分析,分别在3549°和7502°发现了6HSiC(0006)面和(00012)晶面族的对称衍射峰,显示SiC薄膜的晶体取向与(0001)面的衬底是相同的.扫描电子显微镜(SEM)的观察显示薄膜表面连续、光滑,不要利用二次离子质谱仪(SIMS)方法对生长膜层在纵

     

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