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电子型超导体Sm1.85Ce0.15CuO4单晶的赝能隙行为研究

物理学报, 2002, 51(8): 1832-1835.
DOI: 10.7498/aps.51.1832
CSTR: 32037.14.aps.51.1832

Acta Phys. Sin., 2002, 51(8): 1832-1835.
DOI: 10.7498/aps.51.1832
CSTR: 32037.14.aps.51.1832
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  • 摘要

    测量了在O2中退火不同时间的Sm1.85Ce0.15CuO4单晶样品的热电势S与电阻率ρ的温度依赖关系.所有的样品电阻率高温下呈现线性温度依赖行为.未退火的样品在148K发生超导转变,而退火后的样品在低温下发生金属半导体相变,其超导电性消失,表明退火引起了载流子浓度下降,体系进入欠掺杂态.随着温度降低,所有的样品ST和ρT曲线在200K附近(T)都发生斜率的改变,可以用赝能隙现象解释.热电势S在低温下出现一个正的曳引峰,意味着载流子符号发生改变,由电子型转变为空穴型

     

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