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浮栅ROM器件x射线剂量增强效应实验研究

物理学报, 2002, 51(10): 2315-2319.
DOI: 10.7498/aps.51.2315
CSTR: 32037.14.aps.51.2315

Acta Phys. Sin., 2002, 51(10): 2315-2319.
DOI: 10.7498/aps.51.2315
CSTR: 32037.14.aps.51.2315
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  • 摘要

    给出了浮栅ROM器件在钴源和北京同步辐射装置(BSRF)3W1白光束线辐照的实验结果;比较了两种辐照的实验结果及其损伤异同性.通过实验在线测得位错误数随总剂量的变化,给出相同累积剂量时x射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.获得了浮栅ROM器件x射线剂量增强因子.这些结果对器件抗x射线辐射加固技术研究有重要价值

     

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