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GaN及其Ga空位的电子结构

物理学报, 2002, 51(11): 2580-2588.
DOI: 10.7498/aps.51.2580
CSTR: 32037.14.aps.51.2580

Acta Phys. Sin., 2002, 51(11): 2580-2588.
DOI: 10.7498/aps.51.2580
CSTR: 32037.14.aps.51.2580
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  • 摘要

    用团簇埋入自洽计算法对宽禁带半导体GaN的电子结构进行了自旋极化的、全电子、全势场的从头计算,得到了与实验值符合的GaN晶体禁带宽度以及价带中N2p带、N2s带和Ga3d带之间的相对位置.在此基础上Ga空位计算(无晶格畸变)显示,Ga空位周围的费米面显著高于正常GaN晶格的费米面.因此Ga空位周围N原子的处于费米面上的2p电子很易被激发成正常晶格处的传导电子

     

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