金属薄膜电迁移1/f噪声与1/f2噪声统一模型

杜磊; 庄奕琪; 薛丽君

doi:10.7498/aps.51.2836

摘要
应用晶粒边界自由体积的概念建立了能够统一描述金属薄膜1f噪声与1f2噪声的模型.该模型表明,结构完整的多晶金属薄膜产生的电噪声为1f噪声,当金属薄膜受到电迁移损伤而形成空洞时就会引入1f2噪声的成分.在电迁移应力实验中,观察到金属薄膜1fγ噪声在空洞成核前γ约为10,一旦发生空洞成核,即突增至16以上,这一规律与本模型的预测相符合

关键词:
金属薄膜 /

1fγ噪声 /

电迁移 /

自由体积
Abstract
Ｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｃｏｎｃｅｐｔｏｆｆｒｅｅｖｏｌｕｍｅｉｎｇｒａｉｎｂｏｕｎｄａｒｙ ,ａｕｎｉｆｉｅｄｍｏｄｅｌｆｏｒ1 ｆｎｏｉｓｅａｎｄ 1 ｆ2 ｎｏｉｓｅｉｎｍｅｔａｌｆｉｌｍｉｓｐｒｏｐｏｓｅｄ.Ｉｔｉｓｓｈｏｗｎｆｒｏｍｔｈｅｍｏｄｅｌｔｈａｔｔｈｅｎｏｉｓｅｉｎｔｈｅｍｅｔａｌｆｉｌｍｗｉｔｈｐｅｒｆｅｃｔｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｐｐｅａｒｓｔｏｂｅ 1 ｆｔｙｐｅ,ｗｈｉｌｅ 1 ｆ2 ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｉｓｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄｗｈｅｎｔｈｅｆｉｌｍｉｓｓｕｂｊｅｃｔｅｄｔｏａｃｅｒｔａｉｎｅｌｅｔｒｏｍｉｇｒａｔｉｏｎｓｔｒｅｓｓａｎｄｔｈｅｖｏｉｄｓｔｈｕｓｉｎｄｕｃｅｄ.Ｉｔｉｓｏｂｓｅｒｖｅｄｉｎｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔｉｏｎｓｔｒｅｓｓｔｅｓｔｃｏｎｄｕｃｔｅｄｂｙｐｒｅｓｅｎｔａｕｔｈｏｒｓｔｈａｔγｉｓ1 0ｏｒｓｏｆｏｒｔｈｅｍｅａｓｕｒｅｄ 1 ｆγ ｎｏｉｓｅｉｎｔｈｅｍｅｔａｌｆｉｌｍｉｎｔｈｅｉｎｉｔｉａｌｓｔａｇｅｓｏｆｔｈｅｔｅｓｔ,ｂｕｔγａｂｒｕｐｔｌｙｉｎｃｒｅａｓｅｄｔｏｏｖｅｒ1 6ａｓｓｏｏｎａｓｔｈｅｖｏｉｄｓａｒｅｆｏｒｍｅｄ .Ｔｈｉｓａｇｒｅｅｓｗｉｔｈｔｈｅｐｒｅｄｉｃｔｉｏｎｏｆｔｈｅｄｅｖｅｌｏｐｅｄｍｏｄｅｌ.

Keywords:
ｍｅｔａｌｆｉｌｍ ,1 ｆγ ｎｏｉｓｅ,ｅｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔｉｏｎ,ｆｒｅｅｖｏｌｕｍｅ /

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杜磊,

庄奕琪,

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金属薄膜电迁移1/f噪声与1/f2噪声统一模型

Ａｕｎｉｆｉｅｄｍｏｄｅｌｆｏｒ 1 ｆｎｏｉｓｅａｎｄ 1 ｆ2 ｎｏｉｓｅｄｕｅｔｏｅｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔｉｏｎｉｎｍｅｔａｌｆｉｌｍ

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