制备温度对MgB-2薄膜超导电性的影响

王淑芳; 朱亚彬; 张芹; 周岳亮; 陈正豪; 吕惠宾; 杨国桢

doi:10.7498/aps.51.2842

摘要
报道了用两步法制备MgB2超导薄膜.首先利用脉冲激光沉积技术制备B膜,然后在Mg蒸气环境下对B膜进行后退火处理,通过扩散反应生成MgB2超导薄膜.采用扫描电子显微镜、x射线衍射、电阻测量和磁测量技术分析了前驱物B膜的制备温度对扩散产物MgB2薄膜的表面形貌、晶体结构、超导转变温度和临界电流密度的影响.结果表明,随着B膜制备温度的降低,MgB2薄膜中晶粒粒度减小、c取向的衍射线宽化、超导转变温度升高、临界电流密度增大.300℃时制备的MgB2超导薄膜的超导起始转变温度为395K,临界电流密度为13×107A

关键词:
MgB2超导薄膜 /

脉冲激光沉积 /

基片温度
Abstract
ＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＭｇＢ2 ｔｈｉｎｆｉｌｍｓｗｅｒｅｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙａｔｗｏｓｔｅｐｍｅｔｈｏｄ.Ｂｏｒｏｎｔｈｉｎｆｉｌｍｓｗｅｒｅｄｅｐｏｓｉｔｅｄｂｙｐｕｌｓｅｄｌａｓｅｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｆｏｌｌｏｗｅｄｂｙａｎｅｘｓｉｔｕａｎｎｅａｌｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ.Ｓｃａｎｎｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ ,ｘｒａｙｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ ,ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅａｎｄｍａｇｎｅｔｉｃｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓｗｅｒｅｃａｒｒｉｅｄｏｕｔｔｏｓｔｕｄｙｔｈｅｅｆｆｅｃｔｏｆｔｈｅｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｆＢｆｉｌｍｓｏｎｔｈｅｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙｏｆＭｇＢ2 ｔｈｉｎｆｉｌｍｓ.ＴｈｅＴｏｎｓｅｔｃａｎｄＪｃｏｆｔｈｅＭｇＢ2 ｔｈｉｎｆｉｌｍｓｉｎｃｒｅａｓｅｗｉｔｈｔｈｅｄｅｃｒｅａｓｅｏｆｔｈｅｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ.ＴｈｅＭｇＢ2 ｔｈｉｎｆｉｌｍｓｐｒｅｐａｒｅｄａｔ3 0 0℃ａｐｐｅａｒｔｏｈａｖｅａＴｏｎｓｅｔｃｏｆ3 9 5ＫａｎｄａＪｃｏｆ1 . 3× 1 0 7Ａ·ｃｍ-2 ａｔ1 5Ｋｉｎｚｅｒｏｆｉｅｌｄ .

Keywords:
ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＭｇＢ2 ｔｈｉｎｆｉｌｍｓ,ｐｕｌｓｅｄｌａｓｅｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ,ｓｕｂｓｔｒａｔｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ /

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朱亚彬,

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周岳亮,

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