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具有分隔层Bi的反铁磁/铁磁双层薄膜间的短程交换耦合

物理学报, 2002, 51(12): 2854-2857.
DOI: 10.7498/aps.51.2854
CSTR: 32037.14.aps.51.2854

Acta Phys. Sin., 2002, 51(12): 2854-2857.
DOI: 10.7498/aps.51.2854
CSTR: 32037.14.aps.51.2854
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  • 摘要

    用磁控溅射方法制备了NiFeⅠFeMnBiNiFeⅡ薄膜,研究了反铁磁薄膜FeMn与铁磁薄膜NiFeⅠ及NiFeⅡ间的交换偏置场Hex相对于分隔层Bi厚度的变化.发现随分隔层Bi厚度的增加,FeMn与NiFeⅠ间的交换偏置场Hex1几乎不变,FeMn与NiFeⅡ间的交换偏置场Hex2急剧减小.当Bi的厚度超过06nm时,FeMn与NiFeⅡ之间的交换偏置场从6925下降为0876kA·m-1.x射线光电子能谱(XPS)分析表明,沉积在FeMnNiFeⅡ界面的Bi并没有全部停留在界面处,至少有部分偏聚到Ni

     

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