搜索

x
中国物理学会期刊
高级检索

玻璃中CdSeS纳米晶体的生长及其性能

物理学报, 2002, 51(12): 2892-2895.
DOI: 10.7498/aps.51.2892
CSTR: 32037.14.aps.51.2892

Acta Phys. Sin., 2002, 51(12): 2892-2895.
DOI: 10.7498/aps.51.2892
CSTR: 32037.14.aps.51.2892
PDF
导出引用

  • 摘要

    对掺有镉、硒、硫的玻璃在500—800℃退火2—24h,生长了不同尺寸的CdSxSe1x纳米晶体.用分光光度计和光致发光光谱(PL)分析了纳米晶体的性能.退火温度低于550℃,纳米晶体处于成核阶段,600—625℃处于正常扩散生长阶段,700—800℃处于竞争生长阶段;而650℃处于两种生长阶段之间.虽然650℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸.在所有样品中出现了深能级缺陷,在650℃退火时间小于4h或大于16h有利

     

    Abstract

      Keywords:
    •  / 
    •  / 
    •  

      作者及机构信息

      Authors and contacts

      参考文献

    目录

    /

    返回文章
    返回