搜索

x
中国物理学会期刊
高级检索

Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

物理学报, 2002, 51(2): 296-299.
DOI: 10.7498/aps.51.296
CSTR: 32037.14.aps.51.296

Acta Phys. Sin., 2002, 51(2): 296-299.
DOI: 10.7498/aps.51.296
CSTR: 32037.14.aps.51.296
PDF
导出引用

  • 摘要

    用扫描隧道显微镜研究了Si(111)(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长.室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点.由于Ge在Si(111)(7×7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点.

     

    Abstract

      Keywords:
    •  / 
    •  / 
    •  / 
    •  

      作者及机构信息

      Authors and contacts

      参考文献

    目录

    /

    返回文章
    返回