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分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究

物理学报, 2002, 51(2): 310-314.
DOI: 10.7498/aps.51.310
CSTR: 32037.14.aps.51.310

Acta Phys. Sin., 2002, 51(2): 310-314.
DOI: 10.7498/aps.51.310
CSTR: 32037.14.aps.51.310
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  • 摘要

    分别应用光致发光、电容电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为.光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理.两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据.电容电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度(样品表面下约100nm处)大约是ZnSe量子点层的位置.深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的011eV,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致.

     

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