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快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响

物理学报, 2002, 51(2): 367-371.
DOI: 10.7498/aps.51.367
CSTR: 32037.14.aps.51.367

Acta Phys. Sin., 2002, 51(2): 367-371.
DOI: 10.7498/aps.51.367
CSTR: 32037.14.aps.51.367
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    研究分子束外延(MBE)生长的应变In0.2Ga0.8AsGaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应.结果表明,RTA移除了InGaAsGaAs界面非辐射中心,提高77K光致发光效率和有源层电子发射.同时Al和Ga原子互扩散,也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度.RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加.这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一.

     

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