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直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜

物理学报, 2002, 51(2): 406-409.
DOI: 10.7498/aps.51.406
CSTR: 32037.14.aps.51.406

Acta Phys. Sin., 2002, 51(2): 406-409.
DOI: 10.7498/aps.51.406
CSTR: 32037.14.aps.51.406
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  • 摘要

    用MgB2靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO3衬底上原位一次性得到了MgB2超导薄膜,其起始转变温度为32K,零电阻温度为15K.

     

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