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离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究

物理学报, 2002, 51(3): 659-662.
DOI: 10.7498/aps.51.659
CSTR: 32037.14.aps.51.659

Acta Phys. Sin., 2002, 51(3): 659-662.
DOI: 10.7498/aps.51.659
CSTR: 32037.14.aps.51.659
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  • 摘要

    采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAsAlGaAs非对称耦合量子阱单元,通过光致荧光谱测量,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应.荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心.

     

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