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La2-xSrxCuO4单晶膜的热电势与电阻率

物理学报, 2002, 51(3): 663-667.
DOI: 10.7498/aps.51.663
CSTR: 32037.14.aps.51.663

Acta Phys. Sin., 2002, 51(3): 663-667.
DOI: 10.7498/aps.51.663
CSTR: 32037.14.aps.51.663
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  • 摘要

    测量了高质量的单晶膜La2-xSrxCuO4(x=010,020,025)的电阻率和热电势.La19Sr01CuO4电阻率呈现S型行为,表明存在一个赝能隙,在赝能隙态可以用公式ρ=ρ0+βexp(-ΔT)很好地拟合.热电势的测量表明,在超导转变前样品的残余热电势值非常小,这是膜的高质量引起的,三个样品在200K以上都出现一个宽峰,对其进行了一些理论模型分析,并与电子型超导体热电势结果作了比较.

     

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