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界面态电荷对6H碳化硅N沟MOSFET阈值电压和跨导的影响

物理学报, 2002, 51(4): 771-775.
DOI: 10.7498/aps.51.771
CSTR: 32037.14.aps.51.771

Acta Phys. Sin., 2002, 51(4): 771-775.
DOI: 10.7498/aps.51.771
CSTR: 32037.14.aps.51.771
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  • 摘要

    针对界面态密度在禁带中的不均匀分布,并且考虑到碳化硅材料中杂质的不完全离化,分析了界面态电荷对N沟6H碳化硅MOSFET阈值电压和跨导的影响.结果显示界面态密度的不均匀分布不仅使阈值电压增大,而且还会导致器件跨导变低,它是影响SiCMOSFET特性的一个重要因素

     

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