报道了利用固相反应方法在单晶Si(100)衬底上制备锰硅化物薄膜.实验发现,样品在固相反应过程中经历了两种相转变,即反应温度为450℃时形成了立方相MnSi,达到550℃时形成了四方相MnSi173.随着反应温度的提高,薄膜呈现取向生长.利用四探针法对固相反应过程中化合物薄层方块电阻的原位测量表明,立方相开始形成的温度约为410℃,由立方相向四方相转变的起始温度约为530℃.红外透过谱测量得到了不同结构相的红外吸收特征峰