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射频溅射FeTaN纳米晶软磁薄膜结构和磁性

物理学报, 2002, 51(4): 908-912.
DOI: 10.7498/aps.51.908
CSTR: 32037.14.aps.51.908

Acta Phys. Sin., 2002, 51(4): 908-912.
DOI: 10.7498/aps.51.908
CSTR: 32037.14.aps.51.908
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  • 摘要

    用射频反应溅射制备了FeTaN纳米晶软磁薄膜.研究了薄膜结构和磁性与制备条件的依赖关系.研究发现,当Ta的含量较高时,在N2+Ar混合气氛中易形成沉积态薄膜的非晶结构.适当的热处理后,αFe纳米晶从中晶化生成.薄膜显示出优良的软磁特性

     

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