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纳米硅/单晶硅异质结二极管的I-V特性

物理学报, 2003, 52(11): 2875-2878.
DOI: 10.7498/aps.52.2875
CSTR: 32037.14.aps.52.2875

The I-V characteristics of nano-silicon/crystal silicon hetero-junction

Acta Phys. Sin., 2003, 52(11): 2875-2878.
DOI: 10.7498/aps.52.2875
CSTR: 32037.14.aps.52.2875
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  • 摘要

    用纳米硅（nc_Si∶H）薄膜制成了纳米硅/单晶硅（nc_Si∶H/c_Si）异质结二极管，对nc_Si∶H/c_Si异质结的特性进行了研究，它具有很好的温度稳定性.温度从20℃上升到200℃ ，I_V曲线只有很小的漂移.对nc_Si∶H/c_Si异质结二极管的输运机理进行了讨论.

     

    Abstract

    The nc_Si∶H/c_S hetero_junction is fabricated and studied using nc_Si∶H films. Its I_V curves have good thermal stability and change little in the temperature range from 20 to 200℃. The existence of a large amount of interfacial states is resoponsible for the good switch characteristics of the nc_Si∶H/c_Si hetero_junction.

     

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