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基于Monte Carlo模拟的三种不同结构单电子动态存储器特性比较

物理学报, 2004, 53(5): 1483-1489.
DOI: 10.7498/aps.53.1483
CSTR: 32037.14.aps.53.1483

Comparison of behaviors of three single-electron dynamic memories with different structures based on Monte Carlo simulation

Acta Phys. Sin., 2004, 53(5): 1483-1489.
DOI: 10.7498/aps.53.1483
CSTR: 32037.14.aps.53.1483
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