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GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究

物理学报, 2004, 53(8): 2720-2723.
DOI: 10.7498/aps.53.2720
CSTR: 32037.14.aps.53.2720

A study on wavelength stability of GaN-based blue light emitting diodes

Acta Phys. Sin., 2004, 53(8): 2720-2723.
DOI: 10.7498/aps.53.2720
CSTR: 32037.14.aps.53.2720
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  • 摘要

    尽管GaN基蓝绿光发光二极管（LED）已进入大规模商品化阶段，但其发光波长随注入电流的变化仍是一个尚未解决的关键技术难题.同时，蓝绿光LED电注入发光光谱的半高全宽多为25nm以上.通过优化LED器件材料的生长条件和总应变量，获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱LED外延片.由此制作的LED器件在0—120?mA的注入电流下，发光波长变化小于1nm.在20mA的正向电流下，其光谱半高全宽只有18nm，且随注入电流变化较小.

     

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