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GaNxAs1－x(x<0.01)中合金态的光学特性

物理学报, 2005, 54(5): 2385-2388.
DOI: 10.7498/aps.54.2385
CSTR: 32037.14.aps.54.2385

Optical properties of alloy states in GaNxAs1－x(x<0.01)

Acta Phys. Sin., 2005, 54(5): 2385-2388.
DOI: 10.7498/aps.54.2385
CSTR: 32037.14.aps.54.2385
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  • 摘要

    应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的(001)GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中 三元合金态的光学特性.变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别 ，而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性.最后还研究了GaNAs的吸收 光谱特征.

     

    Abstract

    A set of GaNxAs1-x samples with a small content of nit rogen (N)( xAs1-x, which was extremely different from the N_related i mpurity states. At the same time, PR spectra were also studied in this work.

     

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