| [1] |
张妮, 刘丁, 冯雪亮. 直拉硅单晶生长过程中工艺参数对相变界面形态的影响. 物理学报,
2018, 67(21): 218701.
doi: 10.7498/aps.67.20180305
|
| [2] |
吉川, 徐进. 点缺陷对硼掺杂直拉硅单晶p/p+ 外延片中铜沉淀的影响. 物理学报,
2012, 61(23): 236102.
doi: 10.7498/aps.61.236102
|
| [3] |
徐 进, 李福龙, 杨德仁. 直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究. 物理学报,
2007, 56(7): 4113-4116.
doi: 10.7498/aps.56.4113
|
| [4] |
郝秋艳, 刘彩池, 孙卫忠, 张建强, 孙世龙, 赵丽伟, 张建峰, 周旗钢, 王 敬. 高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响. 物理学报,
2005, 54(10): 4863-4866.
doi: 10.7498/aps.54.4863
|
| [5] |
李明, 麦振洪, 崔树范. 用Pendell?sung条纹研究硅单晶中微缺陷. 物理学报,
1994, 43(1): 78-83.
doi: 10.7498/aps.43.78
|
| [6] |
杨平. 均匀弯曲硅单晶X射线衍射行为. 物理学报,
1992, 41(2): 267-271.
doi: 10.7498/aps.41.267
|
| [7] |
高愈尊, 大贯惣明, 高桥平七郎, 佐藤義一, 竹山太郎. 氢离子注入对硅单晶电子辐照缺陷和氢泡形成的影响. 物理学报,
1988, 37(1): 152-156.
doi: 10.7498/aps.37.152
|
| [8] |
. 关于存在多种亚稳态时的Townsend放电瞬态过程分析. 物理学报,
1988, 37(6): 996-1002.
doi: 10.7498/aps.37.996
|
| [9] |
储晞, 麦振洪, 戴道扬, 崔树范, 葛培文. 硅单晶中片状沉淀物X射线形貌研究. 物理学报,
1987, 36(3): 408-410.
doi: 10.7498/aps.36.408
|
| [10] |
段沛；高萍；唐基友. 直拉硅单晶原生漩涡缺陷的研究. 物理学报,
1987, 36(8): 986-991.
doi: 10.7498/aps.36.986
|
| [11] |
姚杰, 陈宝琼, 王宏楷. 脉冲激光辐照p型硅单晶向n型转化. 物理学报,
1985, 34(1): 117-120.
doi: 10.7498/aps.34.117
|
| [12] |
麦振洪, 崔树范, 林健, 吕岩. 氢气区熔硅单晶氢致缺陷的研究. 物理学报,
1984, 33(7): 921-926.
doi: 10.7498/aps.33.921
|
| [13] |
何贤昶. 硅单晶氢致缺陷分布的实验研究. 物理学报,
1984, 33(5): 694-695.
doi: 10.7498/aps.33.694
|
| [14] |
麦振洪, 崔树范, 傅全贵, 林汝淦, 张金福. 直拉硅单晶原生微缺陷的观察. 物理学报,
1983, 32(5): 685-688.
doi: 10.7498/aps.32.685
|
| [15] |
杨传铮, 朱建生. 含氢气氛下区熔硅单晶中缺陷的研究. 物理学报,
1982, 31(3): 278-284.
doi: 10.7498/aps.31.278
|
| [16] |
刘振茂, 王贵华. 区熔硅单晶中一种位错源. 物理学报,
1980, 29(9): 1164-1179.
doi: 10.7498/aps.29.1164
|
| [17] |
蒋柏林, 盛世雄, 肖治纲, 包剑英. 氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷形成机理. 物理学报,
1980, 29(10): 1283-1292.
doi: 10.7498/aps.29.1283
|
| [18] |
巴图, 何怡贞. 硅单晶中铜沉淀物的几何形态. 物理学报,
1980, 29(7): 860-866.
doi: 10.7498/aps.29.860
|
| [19] |
崔树范, 葛培文, 赵雅琴, 吴兰生. 硅单晶中硅氢键的存在及其影响. 物理学报,
1979, 28(6): 791-795.
doi: 10.7498/aps.28.791
|
| [20] |
汤定元. 关于硫化镉单晶的生长速率. 物理学报,
1962, 18(4): 207-210.
doi: 10.7498/aps.18.207
|
下载:
