搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

用椭圆偏光法研究硅中砷离子注入的损伤和退火效应

莫党 卢因诚 李旦晖 刘尚合 卢武星

引用本文:
Citation:

用椭圆偏光法研究硅中砷离子注入的损伤和退火效应

莫党, 卢因诚, 李旦晖, 刘尚合, 卢武星

ELLIPSOMETRIC STUDY OF DAMAGE AND ANNEALING IN ARSENIC ION IMPLANTED SILICON

MO DANG, LU YIN-CHENG, LI DAN-HUI, LIU SHANG-HE, LU WU-XING
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  4937
  • PDF下载量:  484
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1979-11-27
  • 刊出日期:  2005-07-29

用椭圆偏光法研究硅中砷离子注入的损伤和退火效应

  • 1. (1)北京半导体器件研究所; (2)北京师范大学; (3)中山大学物理系

摘要: 我们用椭圆偏光法对As+离子注入Si的损伤和退火效应进行了测量。对As+注入能量为150keV、注入剂量为1016cm-2的情况,测得的折射率分布呈现平台型,表明出现了非晶质层。在600—700℃间有一转变温度,高于此温度退火,可消除非晶质层。实验结果表明椭圆偏光法亦是测定辐射损伤的有用工具。

English Abstract

参考文献 (1)

目录

    /

    返回文章
    返回