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关于半导体吸收边附近的三阶非线性光学常数

甘子钊 杨国桢

引用本文:
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关于半导体吸收边附近的三阶非线性光学常数

甘子钊, 杨国桢

ON THE THIRD ORDER OPTICAL NONLINEARITY OF SEMICONDUCTORS NEAR ITS ABSORPTION EDGE

GAN ZI-ZHAO, YANG GUO-ZHEN
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  • 本文分析了半导体在吸收边附近,由于带间跃迁的饱和效应而产生的三阶非线性光学效应,并给出了InSb中反常大的三阶非线性光学常数。
    A theory is proposed about the third order optical nonlinearity which is induced by the saturation effect of interband transitions in semiconductors near the absorption edge. The value of the exceptionally large nonlinear refractive index of InSb is given.
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出版历程
  • 收稿日期:  1981-05-25
  • 刊出日期:  1982-01-05

关于半导体吸收边附近的三阶非线性光学常数

  • 1. (1)北京大学物理系; (2)中国科学院物理研究所

摘要: 本文分析了半导体在吸收边附近,由于带间跃迁的饱和效应而产生的三阶非线性光学效应,并给出了InSb中反常大的三阶非线性光学常数。

English Abstract

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