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退火直拉硅单晶中氧沉淀和诱生缺陷的电子显微镜研究

高愈尊

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退火直拉硅单晶中氧沉淀和诱生缺陷的电子显微镜研究

高愈尊

TEM INVESTIGATION OF OXYGEN PRECIPITATES AND INDUCED DEFECTS IN ANNEALED CZ-Si SINGLE CRYSTAL

GAO YU-ZUN
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出版历程
  • 收稿日期:  1983-07-01
  • 刊出日期:  1984-03-05

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